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1SS355中文资料

  • 大小:93.49KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 22/07/2012 Rev:01 TOP DYNAMIC 1SS355 Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features ? Small plastic package suitable for surface mounted design ? High reliability with high surge current handling capability Applications ? High speed switching Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 90 V Reverse Voltage V R 80 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 100 mA Peak Forward Current I FM 225 mA Surge Forward Current (1 s) I FSM 500 mA Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Electrical Characteristics (T a = 25 O C) Parameter Symbol Max. Unit Forward Voltage at I F = 100 mA V F 1.2 V Reverse Current at V R = 80 V I R 0.1 μA Capacitance between Terminals at V R = 0.5 V, f = 1 MHz C T 3 pF Reverse Recovery Time at V R = 6 V, I F = 10 mA, R L = 100 ? t rr 4 ns Anode 2 Top View Marking C
  • 制造商:Taiwan Semiconductor
  • 产品种类:发光二极管(通用、电源、转换)

1SS355供应商

更新时间:2022-12-31 03:23:32
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 1SS355 FNTE-17

    1SS355 FNTE-17
  • 严选现货

    严选现货=现货+好口碑+品质承诺

    规则

    带有此标记的料号:

    1.表示供应,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2.供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 258000

  • ROHM

  • SOD323/16+

  • 公司100%全新原装现货

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